真空蒸發鍍膜是指在真空條件下，通過蒸發源加熱蒸發某種物質使其沉積在基板材料表面來獲得薄膜的一種技術。

被蒸發的物質被稱為蒸鍍材料。蒸發鍍膜最早由 M.法拉第在 1857年提出，經過一百多年的發展，現已成為主流鍍膜技術之一。

真空蒸發鍍膜系統一般由三個部分組成：真空室、蒸發源或蒸發加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。

在真空中為了蒸發待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發物，同時需要提供蒸發熱使蒸發物達到足夠高的溫度以產生所需的蒸汽壓。

真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應用廣泛的鍍膜技術，主要應用于光學元器件、LED、平板顯示和半導體分立器的鍍膜。

真空鍍膜材料按照化學成分主要可以分為金屬/非金屬顆粒蒸發料，氧化物蒸發料，氟化物蒸發料等。