磁控濺射技術自誕生以來，得到了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方法的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐，浦元真空總結出這種技術的優缺點，如下文所示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對薄膜損傷小；
　　2.對于大多數材料，只要能制造出靶材，就可以實現濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底結合良好；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的重復性，在大面積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜；
　　6.可以準確控制涂層厚度，通過改變參數來控制薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合，同時濺射在基體上；
　　8.易于工業化。


　　但是磁控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控制的區域是等離子體密度較高的區域。在該技術中，我們可以看到濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒，形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分，它會濺出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道，環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶材的濺射槽一旦穿透靶材，整個靶材就會報廢，靶材利用率不高，一般低于40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由于基本的磁通量均不能通過磁性靶，所以在靶面附近不可能產生外加磁場。